ALDの動作原理

ALD は、基板表面を表面と反応するガス状前駆体にさらすことで機能し、結果として材料の単一層が堆積されます。 次に、最初の単層と反応する 2 番目の前駆体を使用してこのプロセスが繰り返され、2 番目の単層が堆積されます。 このプロセスは、所望の膜厚および組成を得るために必要な回数だけ繰り返すことができます。

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