スパッタリングコーティングの均一性

スパッタリングコーティングの均一性

スパッタリングコーティングの場合: 簡単に説明すると、電子または高エネルギーレーザーをターゲットに照射し、原子団またはイオンの形で表面成分がスパッタリングされ、最終的に基板の表面に堆積されます。成膜プロセスを経て、最終的に膜が形成されます。 スパッタリングコーティングは多くの種類に分類できます。 一般的に言えば、スパッタリング速度と蒸着コーティングの違いは、スパッタリング速度が主要なパラメータの 1 つになることです。 レーザースパッタリングコーティングpldでは、成分の均一性は維持しやすいですが、原子スケールでの膜厚の均一性は比較的悪く（パルススパッタリングであるため）、結晶成長（外縁）の制御も比較的一般的です。 pldを例にとると、ターゲット材と基板の格子整合度、成膜雰囲気（低圧ガス雰囲気）、基板温度、レーザーパワー、パルス周波数、スパッタリング時間などが主な要因となります。 スパッタリング材料や基板が異なると、最適なパラメータは異なるため、実験によって決定する必要があります。 塗装設備の品質は主に、正確な制御ができるかどうかで決まります。

温度、真空度が確保できるか、真空チャンバーの清浄度が確保できるか。 MBE分子線外面コーティング技術は上記の問題を解決しましたが、基本的には実験研究に使用されます。 工業生産で一般的に使用される統合コーティング機は、主にイオン蒸着コーティングとマグネトロンスパッタリングコーティングに基づいています。

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