マグネトロンスパッタリングの基本原理

マグネトロンスパッタリングの基本原理

マグネトロンスパッタリングは、磁場を利用して電子の動きを拘束し、電子のイオン化率を向上させます。 従来のスパッタリングと比較して、「低温（衝突回数が増えると電子のエネルギーが徐々に減り、エネルギーがなくなって初めて陽極に落ちる）」と「高速（経路が増える）」という2つの大きな特徴があります。電子の動きを改善し、イオン化率を向上させ、より多くのイオンをイオン化してターゲットに衝突させます)。
磁場によってスパッタリング率を高めるという基本原理は、60 年以上前にペニングによって発明され、その後ケイらによって開発され、スパッタリング ガンや円筒形磁場源の開発につながりました。 平面磁気構造は 1979 年に Chapin で導入されました。

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