イオン真空めっき

イオン 真空 鍍金
蒸発した物質の分子は電子衝突によってイオン化され、イオンメッキと呼ばれるイオンによって固体表面に沈着する。この技術は1963年にD.メトックスによって開発されました。イオンめっきは、真空蒸発とカソードスパッタリングの組み合わせです。基板は、アノードとしてカソードとハウジングとして使用され、不活性ガス(例えば、アルゴン)が充填されてグロー放電を生じる。イオン化は、蒸発源から気化した分子がプラズマ領域を通過するときに起こります。正イオンは基板の負電圧により基板表面に加速される。結合中性原子(蒸発材料の約95%)も、真空チャンバの基板または壁面に堆積する。電界がイオン化した蒸気分子に対する加速効果(イオンエネルギーは数百~数千電子ボルト)、また、基板上のアルゴンイオンのスパッタリング洗浄効果は、膜の接着強度を大きく向上させます。イオンめっきプロセスは、蒸発(高い蒸着率)とスパッタリング(良好な膜接着)の特性を兼ね備えており、複雑な形状でワークをコーティングするのに使用できる良好な回折特性を有する。

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