蒸発コーティング源には3種類

蒸発コーティング源 有る 3種類。
(1)抵抗加熱源:タングステン、箔またはフィラメートで作られたタンタル金属、電流を通して、その上で加熱するか、またはるつぼ蒸発材料に入れ、抵抗加熱源は主にCd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Niなどの材料の蒸発に使用されます。
(2)高周波誘導加熱源:高周波誘導電流加熱るるつぼおよび蒸発物質;
(3)電子ビーム加熱源:材料の高い蒸発温度(2000[618-1]以上)、すなわち、それを蒸発させる電子ビーム爆撃材料に適しています。
他の真空コーティング方法と比較して、蒸発コーティングは高い堆積速度を有し、元素物質および難しい熱分解との化合物膜を調製するために使用することができる。
高純度単結晶フィルムを堆積させるために、分子線エピタキシーが使用できる。成長ドープされたGaAlAs単結晶層の分子線エピタキシー素体。ジェット炉には分子ビーム源が装備されています。超高真空で一定の温度まで加熱すると、炉内の元素が分子流で基板にシュートします。基質を一定の温度まで加熱すると、基質上に堆積した分子は、基板の格子オーダーに従って結晶を移動し、成長させることができる。所望の量論比を有する高純度化合物単結晶膜は、分子線エピタキシー法を用いて得ることができる。フィルムの最も遅い成長速度は1つの単層/秒で制御することができる。バッフルを制御することにより、単結晶薄膜の所望の組成および構造を正確に作ることができる。分子線エピタキシーは、様々な光学集積デバイスや超格子構造フィルムの製造に広く使用されています

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