PECVDプロセスの基本原理
Jun 26, 2023| PECVD テクノロジは、低温プラズマを使用してプロセス チャンバーのカソード (つまり、サンプルが置かれるトレイ) に低圧でグロー放電を生成し、グロー放電 (または別の加熱体) を使用してサンプルを最高温度まで加熱します。所定の温度に昇温した後、適量のプロセスガスを通過させ、一連の化学反応とプラズマ反応を経て、最終的に試料表面に固体膜を形成します。 プロセス原理の模式図を図 1 に示します。反応プロセスでは、反応ガスが空気入口から炉内に入り、徐々に試料表面に拡散します。 高周波源によって刺激された電場の作用下で、反応ガスは電子、イオン、活性基に分解します。 これらの分解物質は化学反応を起こして膜の初期成分と副反応物を形成し、化学結合の形で試料表面に吸着して固体膜核を形成し、徐々に島状に成長します。島は連続した膜へと成長し続けます。 膜の成長過程において、真空ポンプの作動により、膜表面からさまざまな副生成物が徐々に剥離し、排出口から排出されます。
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